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全面突破!三星3D DRAM變「晶圓級樂高」專家:水平電容+GAA+PoC 目標是低壓低密度的全新DRAM單元
09/24
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中國長鑫科技或能繞過EUV制裁?北方華創稱3D DRAM兩步刻蝕創突破性進展
09/06
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HBM迎重大突破?日韓同步提出「直立式DRAM」新架構
07/12
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