全球 HBM 龍頭 SK 海力士正將 AI 記憶體需求暴增的宏觀敘事，快速轉化為具體的資本支出與採購行動。繼 SK 集團於周一 (6 月 29 日) 公布總規模達 1100 兆韓元的半導體擴產藍圖、並宣布將龍仁半導體集群竣工時程提前 12 年後，業界傳出 SK 海力士已就清州 P&T7 先進封裝工廠的 HBM4 測試檢測設備展開供應商協商，訂單總值最高可達 4000 億韓元，顯示 HBM 產能擴張已從規劃階段實質進入執行期。
根據韓媒《TheElec》報導，SK 海力士目前正與多家半導體設備製造商針對清州 P&T7 工廠所需檢測設備進行口頭協商，重點確認明年可交付的設備台數。
設備業界估算，此輪採購約涵蓋 200 台設備，其中包含專用於下一代 HBM4 的高階測試儀，以單台 15 億至 20 億韓元市價推算，訂單總金額上限約為 4000 億韓元。
由於關鍵零組件交期已延長至一年以上，SK 海力士選擇提前一年與設備商鎖定產能，確保 P&T7 的晶圓測試 (WT) 產線能按原定計畫於 2027 年 10 月投產。
P&T7 是 SK 海力士在忠清北道清州布局的核心先進封裝設施，先前已宣布投資約 19 兆韓元，專門用於 HBM 等 AI 記憶體產品的後段製程。
南韓政府日前宣布，三星電子與 SK 海力士將合計投入 81 兆韓元於忠清地區建置 HBM 封裝基地，此次測試設備採購即是上述產能布局落地的首批可見信號，對半導體設備供應鏈而言具有指標性訂單能見度。
在更大規模的戰略投資面上，SK 集團會長崔泰源於周一「大韓民國大跳躍三大超級項目國民報告會」上公布 SK 海力士 1100 兆韓元的中長期擴產計畫，涵蓋三大支點：龍仁半導體集群獲配 600 兆韓元，興建四座晶圓廠，原定 2045 年竣工大幅提前至 2033 年；清州基地獲 100 兆韓元，用於擴充 NAND 產能及強化 HBM 先進封裝，涵蓋 P&T7 及 M17 前段晶圓廠後續擴建；西南部的光州、全羅道地區則規劃新建兩座記憶體晶圓廠，投入 400 兆韓元，具體選址尚在與中央及地方政府協商中。
崔泰源同時表示，SK 集團還將另行投入約 1000 兆韓元建設總規模 15GW 的 AI 資料中心網絡，「未來 10 年 SK 將持續每年在國內執行逾 100 兆韓元投資」。
SK 海力士執行長指出，AI 快速普及驅動記憶體需求激增，僅靠龍仁集群已不足以滿足未來需求，這是該公司決定在西南部新建產能的根本原因。
隨著 HBM4 量產時程逼近，清州 P&T7 設備採購窗口的開啟，預示相關設備供應商的訂單能見度將持續提升，也進一步強化市場對 AI 記憶體需求長期強勁的預期。
